Samsung начала производство фазовой компьютерной памяти

Samsung начала производство фазовой компьютерной памяти

Компания Samsung Electronics объявила о старте серийного производства чипов компьютерной памяти нового типа с изменением фазы (PRAM). Они сохраняют информацию путём расплавления и затвердевания крошечных кристаллов.

Новая микросхема обладает ёмкостью в 512 мегабит. Как сообщает компания в своём пресс-релизе, PRAM производит стирание ячеек почти в десять раз быстрее, чем современные образцы флеш-памяти, а темп перезаписи информации превышает показатель флешек в семь раз.

Ячейки PRAM основаны на кусочках полупроводника микроскопических размеров. При записи информации они очень быстро переходят из кристаллической фазы в аморфную и обратно. Смена состояния достигается при помощи электрического импульса.

Фазы сильно различаются по сопротивлению и могут быть интерпретированы как нули и единицы. Само пребывание в той или иной фазе энергии не требует. Быстродействие PRAM зависит лишь от того, сколько времени требуется для расплавления и последующей заморозки кристалла.

К примеру, в одном из недавних экспериментов, проведённом Манфредом Вуттигом (Manfred Wuttig) из Берлинского технологического университета, учёные испытывали ячейки PRAM диаметром всего в 20 нанометров (о чем сообщали в Nature). В этих клетках переход между состояниями совершался всего за 16 наносекунд быстрее любой существующий на сегодняшний день технологии.

По оценке Samsung, применение PRAM в мобильных устройствах за счёт меньшего энергопотребления такой памяти способно увеличить время работы аккумуляторов на 20%.

Источник: membrana.ru

Теги: samsung, компьютеры

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *